схема при прямому підключенні р-n переходу

схема при прямому підключенні р-n переходу

Пряме включення р-n-переходу. Якщо “+” джерела напруги підключити до області р-типу, а “ – “ до області n-типу, то отримаємо пряме включення. Електричне поле джерела, напруженістю Еn, направлене на зустріч контактному полю напруженістю Е. Тоді результуюча напруженісті дорівнює: Епр=E-En.  Процес виведення неосновних носіїв заряду через перехід під впливом поля цього переходу при підключенні р-n-переходу до джерела зовнішньої напруги. Емітер -область, з якої інжектуються носії заряду (низькоомна область).  - позначення діода на принциповій схемі. Електричний перехід утворюється між двома напівпровідниками з різним типом домішкової електропровідності. Низкоомна область – емітер.

Электрические схемы автомобилей. Схемы автомагнитол. Схемы подключения автосигнализаций.  При прямом напряжении (u > 0) уменьшение потенциального барьера приводит к преобладанию диффузионного потока электронов из эмиттера в базу над дрейфовым потоком электронов из базы в эмиттер. В результате электроны инжектируются в базу и концентрация электронов на границе xp возрастает и значительно превышает равновесную концентрацию в базе np.  Процесс вытягивания электронов из базы обратно смещенным p-n-переходом называется экстракцией. Три процесса определяют обратный ток p-n-перехода: – экстракция электронов из базы, вызывающая уменьшение n(хр) и возникновение Δn(х)

При увеличении прямого напряжения через p-n переход ток вначале возрастает медленно, а затем начинается участок быстрого нарастания тока. Это объясняется тем, что германиевый диод открывается и начинает проводить ток при прямом напряжении 0,1 – 0,2В, а кремниевый при 0,5 – 0,6В. Например.

Прямой ток тем больше, чем больше приложенное к р-n-переходу прямое напряжение (рис. 3.5, б). ↑ Обратное включение электронно-дырочного перехода. Если источник внешнего напряжения переключить плюсом к n-области и минусом к р-области (рис. 3.5, в), внешнее напряжение увеличит потенциальный барьер р-n-перехода.  Вольтамперпая характеристика р-n-перехода — это кривая зависимости прямого тока от прямого напряжения и обратного тока от обратного напряжения. Она обычно строится на общих координатных осях (рис. 3.6).  Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. Ровдо А.А. Издательство: ЛАЙТ Лтд. Год издания: 2000

Рисунок 9 - Схема подключения прямого напряжения к р-n- переходу и изменение его характеристик. На рисунках представлены: · кристаллы с двойным слоем объемных зарядов в р-n переходе и схемы подключения источника напряжения к p-n-переходу в обратном направлении (рисунок 8 а) и в прямом направлении (рисунок 9 а); · изменение потенциала ц вдоль кристалла в области р-n перехода и высота потенциального барьера между p и n областями (или контактная разность потенциалов), равная цк + U на рисунке 8б и цк - U на рисунке 9б (U - напряжение внешнего источника); · распределение объемного заряда Q вдоль p-

При прямом смещении p-n-перехода диффузионные составляющие тока существенно превышают дрейфовые составляющие.  Граничные концентрации входящих в р-слой электронов пр(0) и в n-слой дырок рп(0) влияют на градиенты концентрации неравновесных носителей заряда на границе с p-n-переходом и тем самым согласно (1.8) определяют соответственно диффузионные составляющие токов Jдиф п и Jдиф р, протекающие через p-n-переход. Граничные концентрации неосновных носителей заряда связаны с прямым напряжением на p-n-переходе соотношениями. np(0) = np0eUa/ φТ, (2.3). pn(0) = pn0eUa/φТ, (2.4).

Подключение полупроводник р-типа к плюсу ,а п-типа к минусу называют прямым. Из области п будут перемещаться электроны , а из области р дырки под действие электрического поля. Слой с малой концентрацией носителей заряда будет уменьшаться, соответственно будет уменьшаться сопротивление полупроводника, сила тока будет значительной. При обратом подключении основные носители заряда будут двигаться от места их контакта; область с малой концентрацией зарядов расширится, её сопротивление увеличится. Образуется запирающий слой. ответил 05 Окт, 19 от kitkat. Похожие вопросы. 1 ответ.

Р-n-переход и его свойства. Тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых представляет полупроводник p-типа, а другая n-типа, называют р-n-переходом. Концентрации основных носителей заряда в р- и n-областях могут быть равны или существенно различаться. В первом случае р-п-переход называют симметричным, во втором – несимметричным.  Таким образом, образуется р-n-переход, представляющий собой слой полупроводника с пониженным содержанием носителей – так называемый обедненный слой, который имеет относительно высокое электрическое сопротивление. Свойства р-n-структуры изменяются, если к ней приложить внешнее напряжение.

Ширина перехода при этом уменьшается, вследствие чего снижается сопротивление запирающего слоя. Обратное включение р-n-перехода. Электрическое поле источника напряженностью Eu, направлено в ту же сторону, что и контактное поле p-n-перехода, напряженностью E. Поэтому напряженность результирующего поля в переходе равна: Eобр=E+Eu. Увеличение напряжения электрического поля в p-n-переходе повышает потенциальный барьер, назначение обратного напряжения источника. Это в свою очередь приводит к уменьшению числа основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, т.е. к снижению диффу

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможе

В свое время за открытие транзистора его создатели удостоились Нобелевской премии. Этот маленький прибор изменил человечество навсегда: начиная с простых радиоприемников и заканчивая процессорами, в которых их число достигает нескольких миллиардов. Между тем, чтобы узнать, как он работает, не нужно быть золотым медалистом или лауреатом «нобелевки». Содержание. Что такое транзистор. Принцип действия. Биполярный транзистор. Полевой транзистор. Основные характеристики. Типы подключений. Виды транзисторов. Что такое транзистор. Транзистор – это прибор, изготовленный из полупроводниковых материалов

7.7. ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА p-n-ПЕРЕХОДА. Характеристика p-n-перехода при изменении приложенного напряжения может быть хорошо смоделирована эквивалентной схемой рис. 7.12. Элементы соответствуют сопротивлению и индуктивности полупроводникового образца, контактов и выводов, которыми при ближайшем рассмотрении будем пренебрегать. Два конденсатора а также резистор нелинейные элементы, значение которых зависит от условий смещения. Емкость перехода преобладает при обратном смещении и зачастую пренебрежима в условиях прямого смещения.

Прямое смещение p-n перехода. Изменим полярность подключения внешнего источника на обратную, как показано на рисунке. При этом основные носители заряда будут подтягиваться к области объёмного заряда, частично компенсируя его в зависимости от приложенного напряжения. Это приведёт к уменьшению объёмного заряда в переходе, а следовательно к снижению потенциального барьера, высота которого будет равна.  Ширина p-n перехода, при смещении его постоянным напряжением, определяется из его выражения для равновесного значения, подстановкой вместо φк0 значения φк = φк0 –U . Отсюда видно, что ширина перехода сужается при прямом смещении U>0 и расширяется при обратном смещении U<0.

При прямом включении электронно-дырочного перехода внешнее наряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному электрическому полю.При обратном включении p-n-перехода внешнее обратное направление создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным.  При изменении указанной полярности включение p?n перехода называют обратным включением. Сообщение от Юрий Жмуренков — 23 Февраль, 2017 @ 1:20 пп. Если положительный полюс источника питания подключается к р-области, а отрицательный полюс — к n-области, то включение p-n перехода называют прямым.

Принцип действия р-n-перехода. Чаще всего в качестве выпрямительных вентилей используются полупроводниковые диоды, базирующиеся на р-n-переходе. При введении в полупроводниковый кристалл примесных атомов его проводимость резко возрастает. В зависимости от характера примеси (донорная или акцепторная) полупроводник приобретает электронную или дырочную проводимость. Если в полупроводниковой пластине создать два слоя - один с электронной, а второй с дырочной проводимостью, то между ними образуется электронно-дырочный переход, обладающий вентильными свойствами.

р—n-Переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше, чем в обратном. Таким образом, р—n-переход можно использовать для выпрямления электрического тока. Устройство, содержащее р—n-переход и способное пропускать ток в одном направлении и не пропускать в противоположном, называется полупроводниковым диодом. Если на контакты полупроводникового диода подать переменное напряжение, то ток по цепи пойдёт только в одну сторону.  В данной схеме при подключении батареи Б1 левый р—n-переход является прямым. Левый полупроводник с проводимостью p-типа называют эмиттером.

Якщо до рn переходу під’єднати джерело живлення так,що на р+,а на n-,то зн. εП направлення проти вн. ε П, при чому +іони ідуть до - джерела,а ê до+. Eвнеш>Eвн. При цьому опір pn переходу ↓ і через нього проходить струм,зумовлений як +так і - носіями зарядів. Зворотнє включення pn переходу. +джерела -n область. -джерела -р.  При цьому діод вважається відкритим при прямій напрузі і через Д проходить прямий струм, шлях якого А→К. через Д проходить зворотній струм К←А. ВАХ і параметри ідеального Д.

Прямое включение р - n перехода. Если к р - n переходу подключить внешний источник напряжения U, то нарушится условие равновесия и начнет протекать ток. Если источник напряжения подключить знаком плюс к области р - типа, а знаком минус к области n - типа, то получим включение, которое называется прямым (рис. 2.2). Рис. 2.2.  При прямом включении на обратный ток изменение высоты потенциального барьера не влияет, так как этот ток определяется только количеством неосновных носителей заряда, переносимых через р-n- переход в единицу времени в результате их хаотического теплового движения.

Простейшие схемы подключения транзисторов. Обозначение на электросхемах. У транзистора есть принятое обозначение: «ВТ» или «Q». После букв нужно указать индекс позиции.  Транзисторы с PN переходом управления; Элементы с затвором изолированного типа; Такие же транзисторы другой структуры (металл-диэлектрик-проводник).  Наиболее популярны следующие схемы подсоединения транзисторов в цепь: с общей базовой установкой, общими выводами инжекторного эмиттера и с общим коллекторным преобразователем для подачи напряженности. Вам это будет интересно Установка УЗО и автомата в квартире.

Схема электронно – дырочного перехода: а –распределение концентрации носителей заряда; б – двухслойная p-n –структура полупроводника: 1- основные носители заряда; 2 – неосновные носители заряда. При этом концентрация неосновных носителей, дырок в n-области и электронов в р-области на несколько порядков меньше концентрации основных носителей.  Процесс захвата электрическим полем р- n-перехода неосновных носителей заряда и пере носа их при обратном напряжении через р- n-переход в область с противоположным типом электропроводности называется экстракцией.  Рассмотрим включение перехода в прямом направлении, когда к р-области приложен положительный потенциал.